此外，亨通定期清理小狗的住所，防止寄生虫的滋生，也是很重要的。

该研究工作揭示了受限系统中电子集体激发和电荷周期性调制规律，项新产对低维材料体系的量子效应和拓扑物态研究具有重要意义。图3.计算模拟的一维镜像边界的电子结构通过精确测量沿着一维边界MTB-1的扫描隧道谱，品通发现在CDW能隙之外还存在分离的量子化能级（图4a），品通能级之间的间隔平均为97meV（图4b），而且不同能量下的量子化能级随着能量减小其周期反而增大（图4c）。

国防科技大学王广与中科院苏州纳米所真空互联实验站李坊森研究团队紧密合作，亨通在前期过渡金属硫族化合物MoTe2薄膜的可控生长（Carbon 115,526(2017)）和电子性质的精确调控（NanoLetters 18,675(2018)）的研究基础上，亨通结合超高真空分子束外延生长方法和极低温扫描隧道显微镜/显微谱技术，首次实现了单原子层MoTe2孪晶边界处一维Peierls型电荷密度波原子尺度的直接观测图2.一维镜像边界的高分辨隧道谱mapping与晶格畸变通过建立边界附近的晶格结构模型（图3a），项新产模型中的Mo原子1保持不动，项新产Mo原子0和Mo原子2发生了不同程度的畸变，通过该晶格畸变模型计算得到的电子态密度（DOS）与实验测量的隧道谱具有很好的一致性（图3c）。近期的研究工作表明，品通单原子层过渡金属硫族化合物中的一维金属性镜面孪晶边界（MirrorTwinBoundary,MTB）处呈现出周期性的电荷调制，品通为探索一维受限体系的电子行为提供了非常理想的平台。

过渡金属硫族化合物是一类新型层状半导体材料，亨通具有丰富的物相和强自旋轨道耦合，亨通展现出超导、磁性、量子自旋霍尔效应、外尔半金属等新奇的物理效应，是当前凝聚态物理和材料科学研究的前沿热点，在下一代半导体信息器件领域有重要的应用前景。然而，项新产目前MTB电荷调制的基本机理和电子在一维受限结构中的传输方式仍然存在较大争议。

图3.计算模拟的一维镜像边界的电子结构通过精确测量沿着一维边界MTB-1的扫描隧道谱，品通发现在CDW能隙之外还存在分离的量子化能级（图4a），品通能级之间的间隔平均为97meV（图4b），而且不同能量下的量子化能级随着能量减小其周期反而增大（图4c）。

一维体系中电子之间的相互作用使得单电子激发失效而表现出集体激发行为，亨通导致自旋-电荷分离现象，亨通即带有自旋的准粒子和带有电荷的准粒子的传播速度不一致，其低能激发行为通常可以用Tomonaga-Luttinger液体（TLL）理论很好地解释。项新产金属锂枝晶能被探测到的最小数量只有2.8×10-4mg。

品通即使是微米级的锂枝晶（约2.8×10−4mg和50μm）的生长也能触发H2捕获。亨通该成果以题为DetectionofMicro-ScaleLiDendriteviaH2 GasCaptureforEarlySafetyWarning发表在了Joule上。

项新产并于2005年加盟斯坦福大学。品通（B）自动气相色谱结果显示未检测到H2信号。